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三星官方宣布，已经最先举行 7nm LPP（Low Power Plus）工艺芯片的量产事情。据悉，三星的 7nm LPP 接纳 EUV 光刻，机械采购自荷兰 ASML（阿斯麦），型号为双工件台 NXE:3400B（光源功率 280W），日产能 1500 片。

简朴来说，EUV 使用 13.5nm 波长的极紫外光曝光硅片，而传统的氟化氩 (ArF) 浸没式光刻则是依赖 193nm 波长，而且需要昂贵的多模掩模装置。EUV 手艺使得使用单个光罩来建立硅晶圆层成为可能，而 ArF 可能需要多达 4 倍的光罩才气建立相同的晶片。也就是说，与非 EUV 工艺相比，三星的 7 LPP 工艺可使光罩总数削减约 20%，为客户能够节省时间和成本。

三星透露，其从 2000 年左右就着手研究 EUV 手艺了。

手艺指标上，对比 10nm FinFET，三星 7nm LPP 可实现面积能效（同样复杂度为量纲）提升 40%、性能增添 20%、功耗降低最多 50%。

三星透露，基于 EUV 的 7nm LPP 乐成量产为其推进 3nm 奠基了基础、指明晰门路。产能方面，主要在韩国华城的 S3 工厂，2020 年前会在开一条新产线。

现在已知，高通新一代的 5G 基带会接纳三星的 7nm LPP 工艺，看起来骁龙 8150/8180 等 SoC 希望也很大。

图为三星 EUV 产线

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