金立新机 S11S 现身：全面屏+四摄像头

Intel 虽然一再强调自己的 xxnm 工艺才是最正确的，好比同样标称 10nm，自己要比三星、台积电的领先整整一代，然则没办法，人家的脚步要快得多。今天，三星电子又宣布了新的 11nm FinFET 制造工艺 “11LPP”(Low Power Plus)，并确认未来 7nm 工艺将上 EUV 极紫外光刻。三星 11LPP 工艺不是全新的，而是 14nm、10nm 的融合，一方面接纳 10nm BEOL(后端工艺)，可以大大缩小芯片面积，另一方面则沿用 14nm LPP 工艺的部门元素。
三星于 2016 年 10 月投产 10LPE(10nm Low Power Early)，并已准备好即将投产 10LPP(10nm Low Power Plus)，主要为智能手机制造芯片，14nm 工艺则针对主流、低功耗和紧凑型芯片。
下一步，三星还会增添 14LPU、10LPU 版本。
11LPP 工艺将填补三星 14nm、10nm 之间的空缺，号称可在一致晶体管数目和功耗下比 14LPP 工艺提升 15％的性能，或者降低 10％的功耗，另外晶体管密度也有所提高。
三星设计 2018 年上半年投产 11LPP 工艺。
未来，三星还一起准备了 9nm、8nm、7nm、6nm、5nm 工艺，其中 7nm 7LPP 版本会周全融合 EUV 极紫外光刻，确认 2018 年下半年试产。
尚有报道称，在那之前的明年上半年，三星会首先在 8LPP 工艺的特定层上使用 EUV。
三星示意，2014 年以来，已经使用 EUV 技术处理了靠近 20 万块晶圆，取得了丰硕成果，好比 256Mb SRAM 的良品率达到了 80％。

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